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Transistor 2N5551

Transistor 2N5551

Transistor 2N5551

Code produit:Transistor 2N5551
Disponibilité:100
  • 100 FCFA

Ce produit a une quantité minimale de 5
Détail produit

Transistors petits signaux NPN, plus de 100 V, Fairchild Semiconductor

La grande gamme de transistors bipolaires de jonction (BJT) fournit des solutions complètes pour divers besoins en termes d'application de circuit. Les boîtiers innovants sont conçus pour offrir une taille minimale, une fiabilité très élevée et des performances thermiques maximales.

Caractéristiques techniques

Attribut Valeur
Type de transistor NPN
Courant continu de Collecteur maximum 600 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum 160 V
Type de boîtier TO-92
Type de montage Traversant
Dissipation de puissance maximum 625 mW
Gain en courant DC minimum 80
Configuration du transistor Simple
Tension Collecteur Base maximum 180 V
Tension Emetteur Base maximum 6 V
Fréquence de fonctionnement maximum 100 MHz
Nombre de broche 3
Nombre d'éléments par circuit 1
Hauteur 5.33mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Longueur 5.2mm
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 0,20 V
Tension de saturation Base Emetteur maximum 1 V
Largeur 4.19mm
Température de fonctionnement minimum -50 °C
Dimensions 5.2 x 4.19 x 5.33mm

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