The 2N2222 is a common NPN bipolar junction transistor (BJT) used for general purpose low-power amplifying or switching applications. It is designed for low to medium current, low power, medium voltage, and can operate at moderately high speeds. It was originally made in the TO-18 metal can as shown in the picture.
Features:
- Bi-Polar high current NPN Transistor
- DC Current Gain (hFE) is 100
- Continuous Collector current (IC) is 800mA
- Emitter Base Voltage (VBE) is 6V
- Collector Emitter Voltage (VCE) is 30V
- Base Current(IB) is 5mA maximum
- Available in To-92 Package
Le 2N2222A est un transistor de commutation haute vitesse NPN en boîtier métallique TO-18. Ce transistor offre une commutation rapide, un arrêt rapide et une faible tension de saturation. Il est utilisé pour l’alimentation DC linéaire / de découpage et les applications d’amplificateur VHF.
- Tension émetteur-collecteur (Vce) de 40V
- Courant collecteur continu (Ic) de 800mA
- Dissipation de puissance de 500mW
- Plage de température de jonction de -65°C à 200°C
- Tension de saturation collecteur émetteur de 1V à courant collecteur 500mA
- Gain de courant DC supérieur à 35 pour Ic=0.1 mA
- Informations produit:
- Polarité transistor: NPN
- Tension Collecteur-Émetteur Uce: 40V
- Fréquence de transition ft: 300MHz
- Dissipation de puissance Pd:1.2W
- Gain en courant DC hFE: >30
- Type de boîtier de transistor:TO-18
- Nombre de broches:3Broche(s)
- Température de fonctionnement max..:200°C
Application:
- Traitement du Signal;
- Gestion d’alimentation;
- Périphériques Portables;
- Électronique Grand Public;
- Industrie
