Détail produit
Transistors petits signaux NPN, plus de 100 V, Fairchild Semiconductor
La grande gamme de transistors bipolaires de jonction (BJT) fournit des solutions complètes pour divers besoins en termes d’application de circuit. Les boîtiers innovants sont conçus pour offrir une taille minimale, une fiabilité très élevée et des performances thermiques maximales.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de transistor | NPN |
Courant continu de Collecteur maximum | 600 mA |
Tension Collecteur Emetteur maximum | 160 V |
Type de boîtier | TO-92 |
Type de montage | Traversant |
Dissipation de puissance maximum | 625 mW |
Gain en courant DC minimum | 80 |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Collecteur Base maximum | 180 V |
Tension Emetteur Base maximum | 6 V |
Fréquence de fonctionnement maximum | 100 MHz |
Nombre de broche | 3 |
Nombre d’éléments par circuit | 1 |
Hauteur | 5.33mm |
Température d’utilisation maximum | +150 °C |
Longueur | 5.2mm |
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 0,20 V |
Tension de saturation Base Emetteur maximum | 1 V |
Largeur | 4.19mm |
Température de fonctionnement minimum | -50 °C |
Dimensions | 5.2 x 4.19 x 5.33mm |