Détail produit
Transistors petits signaux NPN, 40 à 50 V, Fairchild Semiconductor
Transistors bipolaires, Fairchild Semiconductor
La grande gamme de transistors bipolaires de jonction (BJT) fournit des solutions complètes pour divers besoins en termes d’application de circuit. Les boîtiers innovants sont conçus pour offrir une taille minimale, une fiabilité très élevée et des performances thermiques maximales.
Caractéristiques techniques
| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de transistor | NPN |
| Courant continu de Collecteur maximum | 200 mA |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 40 V |
| Type de boîtier | TO-92 |
| Type de montage | Traversant |
| Dissipation de puissance maximum | 625 mW |
| Gain en courant DC minimum | 30 |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Collecteur Base maximum | 60 V |
| Tension Emetteur Base maximum | 6 V |
| Fréquence de fonctionnement maximum | 300 MHz |
| Nombre de broche | 3 |
| Nombre d’éléments par circuit | 1 |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 0,3 V |
| Température de fonctionnement minimum | -50 °C |
| Dimensions | 5.2 x 4.19 x 5.33mm |
| Longueur | 5.2mm |
| Température d’utilisation maximum | +150 °C |
| Hauteur | 5.33mm |
| Tension de saturation Base Emetteur maximum | 0,95 V |
| Largeur | 4.19mm |
